Описание
Номер: 4
Год: 2017
Страницы: 643-648
Автор: ЛАШКАРЕВ Г.В., КАРПИНА В.А., ОВСЯННИКОВА Л.И., КАРТУЗОВ В.В., ДРАНЧУК Н.В., ГОДЛЕВСКИЙ М., ПЕТРУШКА Р., ХОМЯК В.В., ПЕТРОСЯН Л.И.
Код направления статьи: 29.00.00
Язык: русский
Журнал: ФИЗИКА НИЗКИХ ТЕМПЕPАТУP
ISSN: 0132-6414
УДК: нет
Входит в РИНЦ: да
Входит в Scopus: нет
Входит в Wos: нет
Цитируемость по журналу: 4,614
Цитируемость по направлению: 0,554
Импакт-фактор: 1,026
Скачивание статьи: Скачать статью
Аннотация
Рассмотрены свойства прозрачных проводящих материалов на основе широкозонного полупроводника оксида цинка, перспективного для применений в фотовольтаике и жидкокристаллических дисплеях. Изучено влияние алюминия на проводимость тонких пленок ZnO, осажденных методом атомно-слоевого роста. Проведены температурные исследования концентрации, подвижности и удельного электросопротивления в диапазоне температур 77-300 К, которые свидетельствуют о металлической проводимости сильно легированных пленок. Электроактивность алюминия как донорной примеси в решетке ZnO изучена для тонких пленок, выращенных методом атомного послойного осаждения на стекло и кремний и содержащих 1-7 ат.% алюминия. Обсуждены причины низкой электроактивности Al в ZnO и предложены пути ее повышения.