Описание

Аннотация

Рассмотрены свойства прозрачных проводящих материалов на основе широкозонного полупроводника оксида цинка, перспективного для применений в фотовольтаике и жидкокристаллических дисплеях. Изучено влияние алюминия на проводимость тонких пленок ZnO, осажденных методом атомно-слоевого роста. Проведены температурные исследования концентрации, подвижности и удельного электросопротивления в диапазоне температур 77-300 К, которые свидетельствуют о металлической проводимости сильно легированных пленок. Электроактивность алюминия как донорной примеси в решетке ZnO изучена для тонких пленок, выращенных методом атомного послойного осаждения на стекло и кремний и содержащих 1-7 ат.% алюминия. Обсуждены причины низкой электроактивности Al в ZnO и предложены пути ее повышения.